澳门新葡萄新京威尼斯987887电子科学与技术基础要紧包括二极管、三极管的结构、特性及要紧参数；把握饱和、放大、截止的大体概念和条件。晶体管放大电路的组成和工作原理。把握图解分析法和等效模型分析法。把握放大电路的三种组态及性能特点澳门新葡萄新京威尼斯987。电路的三种耦合方式及特点。反馈的大体概念：正、负反馈；电压、电流、串联、并联负反馈；把握反馈类型和极性判定，引入负反馈对放大性能的阻碍。比例、加减、微积分线性运算电路澳门新葡萄新京威尼斯澳门新葡萄新京威尼斯987。一样了解对数、指数运算电路的工作原理及一阶、二阶有源滤波器的电路组成、频率特性。了解产生自激振荡的条件澳门新葡萄新京威尼斯。把握电压比较器，用电压比较器组成的非正弦发生电路。把握逻辑代数的大体公式、大体规那么；逻辑代数的表示方式及彼此转换。把握各类门的逻辑符号、功能、特点、利用方式。正确明白得TTL门和CMOS门电路的结构、工作原理澳门新葡萄新京威尼斯。

　　要紧考察考生对电磁理论大体内容的明白得和把握程度澳门新葡萄新京威尼斯澳门新葡萄新京威尼斯，和灵活应用知识的能力。试卷命题对大纲内容有覆盖性和普遍性，题型要紧包括概念题、计算题和证明推导题。应把握的大体内容为：①矢量分析：三种经常使用坐标系内的梯度、散度和旋度的运算澳门新葡萄新京威尼斯987、几种重要矢量场的概念和性质；②静电场：库仑定律、电场与电场强度、高斯定律、静电场的环路定律澳门新葡萄新京威尼斯987澳门新葡萄新京威尼斯、电位和电位差、电位的泊松方程和拉普拉斯方程、电偶极子、电介质中的静电场、静电场中的导体、电场能量与静电力；③恒定电场和电流：恒定电流场的大体定律澳门新葡萄新京威尼斯、欧姆定律和焦耳定律、恒定电流场的边界条件、恒定电流场与静电场的类比；④恒定磁场：安培磁力定律和毕奥---沙伐定律、恒定磁场的大体定律、矢量磁位和标量磁位、磁偶极子、磁介质中恒定磁场大体定律、磁介质的边界条件；⑤静态场的边值问题：拉普拉斯方程的分离变量法、镜象法、有限差分法；⑥电磁感应：法拉第电磁感应定律、电感、磁场的能量；⑦时变电磁场：位移电流和推行的安培回路定律、麦克斯韦方程组、正弦电磁场、媒质的色散与损耗、坡印廷定理、电磁场的波动方程澳门新葡萄新京威尼斯、标量位和矢量位、时变电磁场的边界条件；⑧平面电磁波：理想介质中的均匀平面电磁波、电磁波的极化澳门新葡萄新京8883、有耗媒质中的均匀平面电磁波、理想媒质界面上电磁波的反射和折射、全折射和全反射；⑨导行电磁波：矩形波导管中的电磁波、TE10模电磁波澳门新葡萄新京威尼斯987澳门新葡萄新京威尼斯987、波导中的能量传输与损耗、传输线上的TEM波、谐振腔；⑩电磁波辐射：赫芝偶极子辐射、磁偶极子天线的辐射、线天线、天线的方向性系数和增益。

　　要紧包括半导体中的电子状态；半导体中的电子状态和能带、电子的运动，本征半导体的导电机构、空穴，回旋共振，硅和锗的能带结构；半导体中的杂质和缺点能级，硅、锗晶体中的杂质能级、缺点、位错能级；半导体中载流子的统计散布、状态密度，费米能级、载流子浓度的计算，简并半导体；载流子的位移与扩散运动，载流子的散射、迁移率、电阻率、强场效应澳门新葡萄新京威尼斯、热载流子、多能谷散射，耿氏效应；非平稳载流子的注入，复合寿命，费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的迁移运动，爱因斯坦关系，持续性方程；PN结的伏安特性，PN结电容，击穿；金属和半导体的接触的理论，少子的注入与欧姆接触；表面态，表面场效应澳门新葡萄新京8883，C-V特性，表面电场对PN结特性的阻碍；半导体的光学性质，光电性质，发光现象，半导体激光器；半导体的热电性质，温差电动势率，热电效应及其应用；半导体磁效应和压阻效应。

　　(1)题型:简答题和计算题。简答题包括概念题和重要数学公式及其物理意义澳门新葡萄新京8883，计算题包括数学模型、重要物理量计算、设计等。

　　(1)模拟电路基础；(2)半导体物理学；(3)电磁场理论基础。 (1)北京理工大学出版社；(2)国防工业出版社；(3)北京理工大学出版社。 (1)吴丙申，卞祖富；(2)刘恩科，朱秉升，罗晋生等；(3)陈重，崔正勤。 (1)1997；(2)1994；(3)2003。